di/dt的判定
为什么说BOOST的拓扑引起的电流di/dt比较低？是因为BOOST回来的控制MOS的源极是接地么？
2012-10-18 19:41:06 - 讨论帖 - 天使的春 - 综合电源技术 900次浏览 - 8次回复
请问，我对一个电路DT分析完了，scope分析某个变量的频率...
请问，我对一个电路DT分析完了，scope分析某个变量的频率特性啊？
2012-10-15 15:06:15 - 求助帖 - lzhf0228 - 综合电源技术 501次浏览 - 4次回复
关于MOSFET的dv/dt参数
最近看规格书的时候发现，像ST,fairchild的mosfet规格书中表明的是dv/dt是Peakdioderecoverydv/dt，英飞凌的标注为MOSFETdv/dtruggedne...
2012-04-23 14:37:02 - 求助帖 - humphery - 综合电源技术 2601次浏览 - 2次回复
【图】晶闸管如果不正向偏置，外加过大的dv/dt会让其在关断...
如图，晶闸管如果不正向偏置，外加过大的dv/dt会让其在关断时误导通吗？谢谢。
2012-03-09 13:47:03 - 求助帖 - ieeer - 综合电源技术 1172次浏览 - 5次回复
半桥dv/dt
看了许多公司的半桥驱动芯片产品，发现在dv/dt耐量这一个指标上标的基本都是50V/ns,请问这个指标是怎么来的？是主要由功率MOSFET决定的吗？还是和前面的驱动芯片有关系？如果驱动芯片和外部功率管...
2011-08-18 11:21:06 - 求助帖 - lu175222323 - 综合电源技术 960次浏览 - 2次回复
为什么反激中初级电感中不同的di/dt会对应不同的电流最大值
我最近用了几块PI的芯片，datasheet上有个参数，对于反激的应用，初级电感中不同的di/dt会对应不同的电流最大值，越大的di/dt，电流限制值越高，请问下大家是为什么？
2011-01-26 12:47:01 - 求助帖 - Luther - 综合电源技术 2137次浏览 - 12次回复