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怎么用示波器测试LLCMOS的dv/dt

2024-04-22 16:10:08 - 求助帖 - seil - 综合电源技术 152次浏览 - 1次回复

如题，应用中遇到了这个问题，du/dt过大导致了晶闸管的误触发，除了并联RC吸收电路，还有没有其他方法，各位大佬

2022-06-29 17:04:57 - 求助帖 - summerday - 综合电源技术 1150次浏览 - 12次回复

问下大家，一般开关的switch速度（dv/dt），与EMI有没有计算关系？或者是经验值，为什么一般上升速度会做的下降速度慢？

2018-11-22 09:53:15 - 求助帖 - MR-wang - 综合电源技术 4378次浏览 - 7次回复

53151先说一说我对米勒平台的理解：简单的说就是Cgs充电，充到MOSFET导通，漏极电压下降，Ig给...

2016-11-02 19:42:36 - 求助帖 - wowfarwell - 综合电源技术 37469次浏览 - 24次回复

降压（18降至5V负载150）理论纹波取得200ma，频率100KHZ，计算的175uH电感，实际用了470才行。为什么

2014-02-21 19:48:24 - 求助帖 - 王力浩 - 综合电源技术 15450次浏览 - 21次回复

之前了解此话是用来抑制共模电压的，现在用晶闸管做一个三相大功率整流器（6KV、2KA），涉及到di/dt的抑制，有资料也说用磁环。这个我就不懂了，抑制共模电压用磁环，抑制di/dt也用磁环，那这个.....

2013-08-22 09:39:27 - 求助帖 - HolyFaith - 综合电源技术 1140次浏览 - 5次回复

请问，我对一个电路DT分析完了，scope分析某个变量的频率特性啊？

2012-10-15 15:06:15 - 求助帖 - lzhf0228 - 综合电源技术 501次浏览 - 4次回复

最近看规格书的时候发现，像ST,fairchild的mosfet规格书中表明的是dv/dt是Peakdioderecoverydv/dt，英飞凌的标注为MOSFETdv/dtruggedne...

2012-04-23 14:37:02 - 求助帖 - humphery - 综合电源技术 2601次浏览 - 2次回复

如图，晶闸管如果不正向偏置，外加过大的dv/dt会让其在关断时误导通吗？谢谢。

2012-03-09 13:47:03 - 求助帖 - ieeer - 综合电源技术 1172次浏览 - 5次回复

看了许多公司的半桥驱动芯片产品，发现在dv/dt耐量这一个指标上标的基本都是50V/ns,请问这个指标是怎么来的？是主要由功率MOSFET决定的吗？还是和前面的驱动芯片有关系？如果驱动芯片和外部功率管...

2011-08-18 11:21:06 - 求助帖 - lu175222323 - 综合电源技术 960次浏览 - 2次回复