碳化硅器件的设计和应用资料(650V-3300V的SiCM...
260464碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小...
2024-03-01 10:44:11 - 讨论帖 - yyy3400462929 - 新能源车充电与驱动技术 404次浏览 - 5次回复
碳化硅器件的性能优势，设计选型与应用优势案例
一.碳化硅器件的性能优势碳化硅（SiC）器件是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料（Si），碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；...
2023-11-27 11:06:33 - 讨论帖 - yyy3400462929 - 新能源车充电与驱动技术 943次浏览 - 5次回复
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