Vishay推出集成式40VMOSFET半桥功率级，RD...
节省空间的器件采用小型PowerPAIR®3x3S封装，最大RDS(ON)导通电阻降至805m，Qg为65nC宾夕法尼亚、MALVERN—2020年10月27日&md...
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Vishay推出集成式40VMOSFET半桥功率级...
节省空间的器件采用小型PowerPAIR®3x3S封装，最大RDS(ON)导通电阻降至805m，Qg为65nC
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Vishay推出新款30VMOSFET半桥功率级模块，输...
Vishay推出新款30VMOSFET半桥功率级模块，输出电流提高11%双片器件结合集成式肖特基二极管提高功率密度和效率，所需PCB空间比6mm
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Vishay推出新款30VMOSFET半桥功率级模...
双片器件结合集成式肖特基二极管提高功率密度和效率，所需PCB空间比6mmx5mm封装减少65%
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瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动器
强健的HIP221x驱动器具备高速和高压特性延续瑞萨MOSFET驱动器在工业和消费应用领域的25年辉煌2020年6月29日，日本东京讯-全
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瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动...
强健的HIP221x驱动器具备高速和高压特性，延续瑞萨MOSFET驱动器在工业和消费应用领域的25年辉煌
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意法半导体推出150W评估板和参考设计致力于推动安全高...
该产品的独有技术功能包括恒定导通时间PFC控制、谐振半桥时移控制以及硬开关防止，可节省外部元件成本，并确保动态性能和纹波抑制效果出色。
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PowerIntegrations的BridgeSwi...
高压半桥电机驱动器的效率可高达992%；无需散热片，可大幅缩减软件认证时间及相关开支
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BridgeSwitch可将安全认证时间减半
BridgeSwitch的集成半桥架构具有独特的下管和上管逐周期限流保护功能，并提供失效保障和冗余实现。
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安森美半导体的NCP51820高速氮化镓(GaN)门...
行业认可首款用于GaN功率开关的高性能、650V高压半桥门极驱动器
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