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国产化浪潮中ADC和DAC芯片的一些新的选择与思考
2、PWM接口容易通过光耦隔离，实现隔离ADC功能3、0-10V为标准接口，直接采集精度较高[color=r...
2021-07-01 21:17:24 - 讨论帖 - ckf丁香花 - 综合电源技术 1380次浏览 - 12次回复
如何实现单片机的4-20mA电流隔离输出？
...馈。在需要隔离的应用中，只需要在前级增加一个普通的光耦即可以实现电气隔离。如下图：https://p3-tt.byteimg.com/origin/pgc-image/3141699de7c94...
2021-06-25 15:40:04 - 讨论帖 - ckf丁香花 - 工业模块电源/电力电源 1930次浏览 - 3次回复
一个电源工程师对EMI的见解
...这个参数最好大于开关瞬间，桥臂中点电平的变化速率。光耦隔离这个参数一般在30kV/us，磁耦在35kV/us，电容耦合在50kV/us（是不是绝望了，都比氮化镓低，硅器件一般在10kV/us,S...
2021-04-26 09:11:50 - 讨论帖 - zm77 - 综合电源技术 1590次浏览 - 5次回复
实用保护电路工作原理分析
...电子缺相保护电路三相平衡时，R1～R3结点H电位很低，光耦合输出近似为零电平。当缺相时，H点电位抬高，光耦输出高电平，经比较器进行比较，输出低电平，封锁驱动信号。比较器的基准可调，以便调节缺相...
2021-04-14 15:25:26 - 讨论帖 - JKSEMI - 综合电源技术 711次浏览 - 2次回复
电力仪表的电磁兼容(EMC)设计
...”和“疏”两类。“堵”就是通过增加共模滤波器，采用光耦等隔离或线缆套磁环等方式增加共模阻抗Z；“疏”就是通过电容形成高频通路，将共模干扰引入阻抗更低的地(PE)或金属壳。一个EMC设计往往可以通...
2021-03-25 12:37:13 - 讨论帖 - langtuodianzi - 综合电源技术 842次浏览 - 1次回复
碳化硅MOS/SIC模块耐压650V-1200V-1700V...
...高频、大功率等应用场合。SICMOSFET对门极驱动器（驱动光耦、容耦、磁耦等）的有何设计要求呢？1、要求驱动器具有更高的门极峰值输出电流、更高的dv/dt耐受能力。...
2021-03-06 16:54:56 - 讨论帖 - stevenqian - 综合电源技术 1458次浏览 - 8次回复
碳化硅MOS/SIC模块让电机驱动/控制器，车载逆变器，大功...
那么，SICMOSFET对门极驱动器（驱动光耦、容耦、磁耦等）的有何设计要求呢？1、要求驱动器具有更高的门极峰值输出电流、更高的dv/dt...
2021-03-06 11:48:35 - 讨论帖 - stevenqian - 光伏/逆变/UPS/变频器 4765次浏览 - 16次回复
MOS/IGBT驱动原理，电源芯片
图中1U1是封装为sop_8的被抹掉型号的芯片，PWM波通过光耦1U2可以输出+15V和-5V左右的驱动波形，1U2的5脚位负电压，8脚为正电压，1T1为环形隔离变压器，推断1U1为电源芯片，但是具体...
2021-02-20 10:43:45 - 讨论帖 - 阳菜的弟弟 - 综合电源技术 1031次浏览 - 0次回复
继电器及其驱动
...f、2、接触器3、半导体继电器a、photomosb、光耦隔离可控硅继电器c线包、衔铁、弹簧结构的机械继电器，动作时需要足够的能量，...
2021-01-20 11:30:17 - 讨论帖 - wh6ic - 综合电源技术 659次浏览 - 0次回复
浪涌及浪涌防护方案分析
...短的时间，而会在数据通信网络中较长时间内稳定存在。光耦或磁耦器件标称的耐压是共模，也就是前端到后端之间的耐压。如果超过这个耐压，前端后端都一起烧坏；元器件不会标称差模的耐压，差模耐压能力由电路的...
2020-12-16 17:07:11 - 讨论帖 - JKSEMI - 综合电源技术 628次浏览 - 0次回复