分享论文：《基于GaNHEMT的半桥LLC优化设计和损耗分...
较之于传统硅器件，新出现的增强型氮化镓晶体管GaNHEMTs（galliumnitridehighelectronmobilitytransistors）具有很高的开关速度...
2019-07-23 14:27:28 - 讨论帖 - 世纪电源网-SUN - 综合资料下载 4415次浏览 - 3次回复
分享论文：《基于GaN器件的PFC设计》
针对氮化镓GaN（galliumnitride）功率晶体管在AC-DC变换器当中的应用进行设计。首先，在了解GaN器件的基本特性后，通过LTspice仿真软件搭建了PFC电路.....
2019-07-23 11:41:15 - 讨论帖 - 世纪电源网-SUN - 综合资料下载 4966次浏览 - 3次回复
分享论文：《基于GaN的并联反激均衡器的设计分析》
分析寄生电感与结温对GaN并联电路的性能影响。首先理论分析寄生电感与结温的影响情况，得出这些因素与电路损耗的关系式；并且结合仿真，测试...
2019-07-23 09:59:02 - 讨论帖 - 世纪电源网-SUN - 综合资料下载 9122次浏览 - 1次回复
分享论文：《GaN功率器件预驱动芯片设计与封装集成》
氮化镓GaN（galliumnitride）功率器件因其出色的导通与开关特性，能够实现系统高频化与小型化，有效提升系统功率密度。但是，增强型GaN功率器件由...
2019-07-22 16:43:16 - 讨论帖 - 世纪电源网-SUN - 综合资料下载 3449次浏览 - 2次回复
分享论文：《600V耗尽型GaN功率器件栅极驱动方案设计》
介绍了一种适用于600V耗尽型氮化镓GaN（galliumnitride）器件的栅极驱动策略以及对应的驱动电路，并分析了采用耗尽型GaN功率器件的原因。驱动电路...
2019-07-22 16:31:40 - 讨论帖 - 世纪电源网-SUN - 综合资料下载 3691次浏览 - 4次回复
分享论文：《基于p-GaN结构的GaNHEMT功率电子器件...
基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料，实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反...
2019-07-22 16:18:01 - 讨论帖 - 世纪电源网-SUN - 综合资料下载 3782次浏览 - 1次回复
分享论文：《AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究进展》
氮化镓GaN（galliumnitride）作为第三代半导体材料的代表之一，具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点，在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿...
2019-07-22 16:07:10 - 讨论帖 - 世纪电源网-SUN - 综合资料下载 4824次浏览 - 1次回复
分享论文：《六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究...
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，具有优异的材料物理特性，更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小...
2019-07-22 15:27:48 - 讨论帖 - 世纪电源网-SUN - 综合资料下载 2500次浏览 - 3次回复
分享论文：《GaN基电力电子器件关键技术的进展》
氮化镓GaN（galliumnitride）材料非常适合应用于高频、高功率、高压的电子电力器件当中。目前，GaN功率电子器件技术方案主要分为Si衬...
2019-07-22 14:19:00 - 讨论帖 - 世纪电源网-SUN - 综合资料下载 2439次浏览 - 3次回复
分享论文《GaN基功率电子器件及其应用》
GaN基功率电子器件因其具有开关速度快、开关频率高、工作结温高、通态电阻小、开关损耗低等优势，适合应用于新型高效、大功率等的电力电子系统。国内关于GaN基功率电子器件的研究已经取...
2019-07-22 13:50:09 - 讨论帖 - 世纪电源网-SUN - 综合资料下载 2870次浏览 - 2次回复