以高度灵活性满足高功率密度和性能需求:英飞凌扩展1200V...
以高度灵活性满足高功率密度和性能需求:英飞凌扩展1200V62mmIGBT7产品组合,推出全新电流额定值模块【2023年8月4日,德国慕尼黑讯
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英飞凌推出全新车规级750VEDT2IGBT,适用于分...
英飞凌推出全新车规级750VEDT2IGBT,适用于分立式牵引逆变器【2022年3月21日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFXOTCQ
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英飞凌推出全新650VCoolSiCHybridIG...
英飞凌推出全新650VCoolSiCHybridIGBT分立器件系列,提供优异效率近日,英飞凌科技股份有限公司(FSE:IFXOTCQX:IFNNY)推出650V
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英飞凌推出全新650VCoolSiCHybridI...
【2021年2月23日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE:IFXOTCQX:IFNNY)推出650V关断电压的CoolSiCHybridIGBT单管。新款CoolSiC
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英飞凌推出采用TO-247封装的TRENCHSTOP™IG...
【2020年9月29日,德国慕尼黑讯】继推出采用EconoDUAL™3和Easy封装的TRENCHSTOPIGBT7技术之后,英飞凌科技股份公司(FSE:IFX
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独树一帜:英飞凌开发出先进的硫化氢保护功能,延长IGBT...
硫化氢对于功率半导体而言,是最具威胁的腐蚀性污染物。IGBT模块在运行期间温度通常会上升形成高温,再加上施加的电压和硫化氢污染,会发生反应生成硫化铜(Cu2S)晶体。
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功率扩展:TRENCHSTOP™IGBT7Easy产品系...
【2020年4月29日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE:IFXOTCQX:IFNNY)为其1200VTRENCHSTOP™IGBT7系列推出新的
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英飞凌联手海信,共同巩固全球家电业中国力量
双方约定,在工业功率控制领域,英飞凌将提供具有领先技术的高性能产品,包括IPM、IGBT单管、驱动芯片等半导体功率器件以及主控制器芯片iMotion™以及XMC系列产品。
http://news.21dianyuan.com/detail/36531.html - 2018-11-07 - 248次浏览
英飞凌IGBT芯片技术又升级换代了?
基于最新的微沟道沟槽栅芯片技术,英飞凌推出全新1200VTRENCHSTOP™IGBT7,同时采用最新EmCon7二极管芯片与之搭配成IGBT开关,带来功率器件领域的革命性变革。
http://news.21dianyuan.com/detail/33408.html - 2018-06-21 - 343次浏览
英飞凌推出通过UL1577认证的、快速耐用型1EDCCom...
英飞凌推出EiceDRIVER™1EDCCompact300mil系列单通道栅极驱动电路。这种电隔离驱动器的绝缘测试电压达到VISO=2500Vrms,60秒,通过了UL577认证。并且具备高达1...
http://news.21dianyuan.com/detail/33315.html - 2018-06-19 - 232次浏览