Vishay的新款80V对称双通道MOSFET的RDS(...
Vishay的新款80V对称双通道MOSFET的RDS(ON)达到业内先进水平，可显著提高功率密度、能效和热性能节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR
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最小的双通道低边栅极驱动IC
采用小尺寸封装的EiceDRIVERTM2EDN双通道低边栅极驱动IC可助力实现超高功率密度设计，同时提高可靠性和性能为了给诸如人工智能、计算机视
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Vishay推出业内先进的小型6A、20A和25A降压...
Vishay推出业内先进的小型6A、20A和25A降压稳压器模块，提高POL转换器功率密度microBRICK®器件采用106mmx65mmx3
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Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650VE系列...
第四代器件，提高额定功率和功率密度，降低导通和开关损耗，从而提升能效美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2023年9月4日—
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英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大...
【2023年8月3日，德国慕尼黑讯】小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度
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以高度灵活性满足高功率密度和性能需求：英飞凌扩展1200V...
以高度灵活性满足高功率密度和性能需求：英飞凌扩展1200V62mmIGBT7产品组合，推出全新电流额定值模块【2023年8月4日，德国慕尼黑讯
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家电电机驱动应用——SiC功率器件带来更高能效和功率密度
家电电机驱动应用——SiC功率器件带来更高能效和功率密度过去数十年，各种能源法规都强调了制造节能型产品的重要性。这大大促进了节能降耗[
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高密度电源模块驱动新一代移动机器人发展
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英国Pickering公司大幅提高了射频开关密度2022-06-2415:58推出新款300MHz32x8PXI和PXIe模块紧凑型4x-724系列模块为高性能射频开关
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借助高能效GaN转换器，提高充电器和适配器设计的功率密度
借助高能效GaN转换器，提高充电器和适配器设计的功率密度英飞凌科技首席应用工程师ZhongFangWang、英飞凌科技高级主任应用工程师Matt
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